Avkoppling
<<<
1
2
3
4
5
|
[All Pages]
>>>
Den här artikelserien är resultatet av ett forskningsarbete som
Per Magnusson, Axotron/SP
Devices AB, och Gunnar Karlström, BK
Development AB, genomfört under 2007 och 2008.
Avkoppling del 1 - Bakgrund och kondensatoregenskaper
Att avkoppla matningsspänningar är något man måste göra på så gott
som alla kretskort, men trots att det finns avkoppling i nästan alla
elektronikkonstruktioner så är det vanligt att konstruktörer inte har
så god insikt i hur man ska konstruera avkopplingen för att den ska
bli så effektiv som möjligt. Ofta följer man tumregler med tveksam
giltighet, kopierar gamla lösningar eller bara chansar. Resultatet
blir ibland att det råkar fungera bra, men i en del fall blir
lösningen onödigt dyr eller får sämre egenskaper än den skulle kunna
ha, t.ex. när det gäller EMC (elektromagnetisk kompatibilitet) eller
störningar på interna signaler.
I den här artikeln ska vi försöka ge en ökad insikt i hur olika
designval man kan göra påverkar egenskaperna hos avkoppling på
flerlagerskretskort. Mycket handlar om att förstå vilka parasiter i
form av t.ex. induktans som är viktiga i sammanhanget. Förhoppningsvis
kan artikeln ta död på några myter och möjliggöra för läsaren att
konstruera effektivare och billigare avkopplingslösningar.
Innehållet baserar sig till stor del på mätningar utförda med
nätverksanalysatorer på ett verkligt kretskort och på enskilda
komponenter samt på information från andra artiklar, simuleringar och
på teoretiska härledningar.
Bakgrund
De flesta elektroniska kretsar har en strömförbrukning som varierar
mer eller mindre snabbt över tiden. Samtidigt fungerar de bäst om
matningsspänningen är konstant. Ohms lag säger att man får en
varierande spänning om en varierande ström flyter genom en impedans
som är skild från noll, så för att hålla matningsspänningen så
konstant som möjligt vill man alltså se till att impedansen hos
matningen är låg vid de frekvenser som förekommer i
strömförbrukningen. I radiosammanhang kan detta vara i stort sett en
enda hög frekvens (plus DC) medan matningsströmmen i digitala kretsar
normalt sett är bredbandig och man behöver därför låg impedans i ett
mycket brett frekvensområde.
Spänningsregulatorer har ofta en bandbredd på sin reglerloop på något
tiotal kHz eller mindre och utgångskondensatorerna håller nere
utimpedansen i ytterligare någon frekvensdekad. Högre upp i frekvens
kan regulatorn inte göra mycket för att hålla spänningen stabil. Ofta
har man dock processorer, FPGA:er eller radiokretsar som drar ström
med frekvenser på många tiotals eller hundratals MHz eller ännu högre,
så ytterligare något måste göras för att förse sådana system med
matning av god kvalitet.
En bra lösning i många fall är att använda spännings- och jordplan i
kortet samt att ansluta ett antal kondensatorer mellan dessa för att
hålla nere impedansen vid höga frekvenser så att den högfrekventa
strömförbrukningen inte ger upphov till alltför stora
spänningsvariationer. Hur effektiv avkopplingen blir beror bland annat
på planens utformning, vilka kondensatorer som används och hur dessa
kondensatorer kopplas in.
Impedansen hos en verklig kondensator
I detta avsnitt ska vi lägga grunden till förståelsen av
avkopplingens beteende vid höga frekvenser genom att studera beteendet
hos en enskild avkopplingskondensator mer i detalj. Impedansen hos en
ideal kapacitans minskar linjärt med ökad frekvens och
avkopplingskondensatorer borde därför ge låg impedans vid höga
frekvenser, precis som man vill. Tyvärr beter sig inte verkliga
kondensatorer som ideala kapacitanser för alla frekvenser som är av
intresse. Vid någon frekvens börjar parasitisk induktans (ESL,
ekvivalent serieinduktans) i serie med kondensatorerna spela roll.
Impedansen hos en induktans stiger linjärt med frekvensen, så när väl
serieinduktansen har börjat dominera så blir kondensatorns avkopplande
verkan allt sämre ju högre upp i frekvens man går. Oundvikligen finns
det även en viss resistans (ESR, ekvivalent serieresistans) i serie
med verkliga kondensatorer och en viss parallellresistans
(läckresistans) parallellt med den. Parallellresistansen är dock
ovidkommande i avkopplingssammanhang, så den ignorerar vi. Vår
sammantagna modell för en avkopplingskondensator med parasiter visas i
Figur 1.
Figur 1. Modell av verklig avkopplingskondensator.
Impedansen är summan av impedanserna hos elementen i modellen:
Ekv 1 |
|
Där vinkelfrekvensen ω=2πf har
använts för att förenkla formlerna något. För att få en hållpunkt i
verkligheten kan vi ta en vanlig 100-nF-kondensator med dielektrikum
X7R i 0603-kapsel. Enligt
Murata [1] har en
sådan kondensator en ESR på ca 0,02 Ω och en ESL på ca 0,6 nH.
Det innebär att reaktanserna hos kapacitansen och serieinduktansen har
samma belopp och tar ut varandra vid ca 20 MHz. Denna frekvens är
kondensatorns resonansfrekvens och här blir totala impedansen helt
reell och lika med ESR = 0,02 Ω. Över resonansfrekvensen
dominerar reaktansen från induktansen och den totala impedansen stiger
linjärt med frekvensen. Figur 2 visar beloppet av impedansen hos denna
kondensator samt de olika delkomponenterna i modellen som funktion av
frekvens.
Figur 2. Simulerad impedans hos en 100-nF-kondensator
samt impedansen hos de olika delarna i modellen.
Det kan kanske förvåna att självresonansfrekvensen (SRF) hos
kondensatorn är så pass låg eftersom man brukar använda 100 nF 0603
för att avkoppla kort med frekvenser långt över 20 MHz. Dessbättre är
vi i avkopplingssammanhang inte beroende av att kondensatorn beter sig
som en perfekt kapacitans, utan det räcker med att impedansen är låg,
vilket den är långt över resonansfrekvensen. Vid 10×SRF = 200 MHz är
t.ex. impedansen densamma som vid SRF/10 = 2 MHz, så om vi har samma
impedanskrav vid båda dessa frekvenser är vår 100-nF-kondensator
alltså lika bra i båda fallen. Hur som helst så är den lilla
serieinduktansen i kondensatorn helt avgörande för beteendet vid
frekvenser över SRF. Avvikelsen mellan den blå linjen (ideal
kapacitans) och den svarta i Figur 2 är som synes avsevärd.
Om vi tittar på parasiterna hos ytterligare några verkliga
kondensatorer så finner vi att ESL är i stort sett oberoende av
kapacitansvärde om vi håller oss i samma kapsel. En 0603-kondensator
har alltså samma ESL oavsett om kapacitansen är 1 pF eller 10 µF.
Detta är en mycket viktig observation och leder som vi ska se till
slutsatsen att vi inte har något att vinna impedansmässigt (möjligen
kostnadsmässigt) på att använda oss av lägre kapacitansvärden om vi
håller oss i samma kapsel. Ett lägre kapacitansvärde, exempelvis 10 nF
istället för 100 nF ger 10 gånger högre impedans under
resonansfrekvensen och i och med att ESL är samma för de två
komponenterna så kommer impedanserna en bit ovanför resonans att vara
identiska. Visserligen har 10-nF-kondensatorn en högre
resonansfrekvens, men det är bara precis runt sin resonansfrekvens som
den har lägre impedans än 100-nF-kondensatorn. ESR är normalt sett
högre för kondensatorer med lägre kapacitans (i samma kapsel).
Om man går till mindre kapslar, t.ex. 0402, så minskar ESL en aning.
Det är alltså bättre ur avkopplingssynpunkt att välja kondensatorer
med mindre kapsel. Skillnaden är dock inte dramatisk och kan lätt
dränkas i ströinduktans från en mindre lyckad layout. Tabell 1 visar
data för några relevanta kondensatorer.
Kapsel | Komponent | C | ESL | ESR | SRF
|
---|
0402 | 1 nF X7R | 1 nF | 0,42 nH | 280 mΩ | 251 MHz
| 10 nF X7R | 10 nF | 0,42 nH | 80 mΩ | 79 MHz
| 100 nF X7R | 100 nF | 0,41 nH | 19 mΩ | 25 MHz
| 1 µF X5R | 1 µF | 0,44 nH | 7 mΩ | 8,6 MHz
| 0603 | 1 nF X7R | 1 nF | 0,58 nH | 290 mΩ | 217 MHz
| 10 nF X7R | 10 nF | 0,62 nH | 74 mΩ | 66 MHz
| 100 nF X7R | 100 nF | 0,61 nH | 17 mΩ | 21 MHz
| 1 µF X7R | 1 µF | 0,52 nH | 11 mΩ | 8,9 MHz
| 1210 | 47 µF X5R | 31 µF | 0,79 nH | 1 mΩ | 1 MHz
|
Tabell 1. Data för några kondensatorer, enligt Murata
[1].
Figur 3 visar impedans som funktion av frekvens för kondensatorerna i
Tabell 1. Notera särskilt hur impedansen hos en kondensator med lägre
värde är högre än impedansen hos en med högre värde vid i stort sett
alla frekvenser.
Figur 3. Simulerad impedans som funktion av frekvens för ett antal olika keramiska kondensatorer.
En välspridd myt är att lägre kapacitansvärden ger bättre avkoppling
vid höga frekvenser. Detta stämmer precis runt SRF hos den mindre
kondensatorn, men i övrigt ligger det inget i myten så länge man
håller sig till samma kapsel. Värt att notera är även att skillnaden
mellan 0603 och 0402 inte är särskilt stor.
Det exakta värdet hos ESL är svårt att mäta och påverkas av
mätmetoden. Howard Johnson har t.ex. mätt på uppskalade modeller av
avkopplingskondensatorer [5]
och kommit fram till lägre värden än vad som anges av Murata.
Övriga parasiter
Det är inte bara parasiterna i själva komponenterna som spelar roll,
utan även parasiter på kortet. Kondensatorerna ska som bekant anslutas
till planen och detta sker genom kopparmönster och vior. Främst bidrar
layouten med ytterligare induktans. Om man gör en bra layout för en
avkopplingskondensator så sitter viorna som ansluter den till planen
mycket nära lödytorna, och det är därmed induktansen i viorna som
dominerar vid sidan om induktansen i själva komponenten. En
approximativ formel för induktansen hos ett par av vior ges
i [2] och den lyder (efter konvertering till
metriska enheter):
Ekv 2 |
|
Där h är viornas längd, d är deras diameter och s centrumavståndet
mellan dem. µ är permeabiliteten i vakuum
och µ/(2π) = 2×10-7
H/m. Eftersom avståndet och diametern står innanför logaritmen
så är induktansen alltså ganska svagt beroende av dessa, medan den
beror linjärt på viornas längd. Vill man hålla nere induktansen ska
man alltså ha kort avstånd i kortet mellan avkopplingskondensatorerna
och de plan de avkopplar samt minimera avståndet mellan viorna och i
den mån det är möjligt ha stor håldiameter. Som oftast när det gäller
formler för induktans så är denna formel inte exakt och det finns ett
antal antaganden man gjort för att förenkla matematiken, bland annat
att hela magnetfältet från viorna ligger instängt mellan två plan,
vilket inte är sant för den del av viorna som sticker upp ovanför
planen. Dock ger formeln en fingervisning om hur olika parametrar
påverkar induktansen samt ungefär hur stor den blir. Figur 4 visar
några olika tänkbara layouter. De tre alternativen till vänster har
onödigt hög induktans på grund av olämplig placering av viorna medan
de två senare är bra layouter med låg induktans. Speciellt om
spännings- och jordplanen ligger långt från den sida av kortet där
kondensatorn är monterad kan det löna sig att ha mer än en via per
lödyta.
Figur 4. Layouter för avkopplingskondensator. De tre första
rekommenderas ej eftersom induktansen är onödigt hög, medan resten har
låg induktans.
Låt oss använda Ekv 2 för att beräkna hur mycket induktans som viorna
bidrar med i en typisk layout. Om vi antar att kortet är 1,6 mm tjockt
och spännings- och jordplanen är symmetriskt placerade nära mitten i
kortet så blir h = 0,8 mm. Vidare antar vi en håldiameter på 0,3 mm
och ett centrumavstånd mellan viorna på 1 mm. Detta ger en induktans
på 0,6 nH. Totalt får man därmed en induktans på ca 1,2 nH för 0603
och 1,0 nH för 0402, och man kan notera att den relativa skillnaden
mellan 0603 och 0402 minskar ytterligare om man tar hänsyn till
parasiter i layouten eftersom de parasiterna inte nödvändigtvis
minskar för att man byter kapseltyp.
Howard Johnson mäter
i [3] upp en
minskning av induktansen på ca 20-50% när viorna placeras som i Figur
4 jämfört med om de placeras i förlängningen av kondensatorn.
Om man har plats kan man lägga fler vior runt
avkopplingskondensatorernas lödytor för att få ner totala induktansen
hos avkopplingen och på så vis minska impedansen vid höga frekvenser
ytterligare utan att behöva kosta på sig fler kondensatorer. Detta
visas i högra delen av Figur 4. Efter 2-3 vior per lödyta avtar dock
vinsten eftersom kondensatorns ESL börjar dominera allt mer.
Att lägga till fler vior lönar sig ännu mer om man använder lite mer
exotiska kondensatorkapslar som 0306 eller 0508 där
anslutningsterminalerna ligger längs komponentens långsidor istället
för längs kortsidorna. Denna typ av kapsel har radikalt mindre ESL än
vanliga avkopplingskondensatorer (ner mot 0,05 - 0,15 nH
enligt [1]) och för
att dra nytta av det behöver man många vior. En stor nackdel med
sådana kondensatorer är dock pris och tillgänglighet, men har man
behov av extremt bra prestanda så kan de vara ett alternativ.
Något man ska undvika om man vid höga frekvenser vill få valuta för
pengarna man lägger ut på avkopplingskondensatorer är att låta flera
kondensatorer dela på samma par av vior. Gör man det kommer inte
induktansen att vara nämnvärt mindre med två kondensatorer än med bara
en eftersom via-induktansen inte minskar när den extra kondensatorn
läggs till. Ett specialfall där man trots allt med fördel kan låta två
kondensatorer dela på ett via-par är när kondensatorerna sitter på
motstående sidor av kortet. Då går nämligen strömmen genom de två
kondensatorerna i olika delar av viorna och parasitinduktanserna
hamnar därmed parallellt, vilket ger upphov till lägre impedans.
Om man inte placerar viorna mycket nära lödytorna blir naturligtvis
induktansen hos ledarna mellan kondensatorn och viorna också
signifikant. En fingervisning om hur mycket det rör sig om är att
varje mm ledning tillför ca 0,5 nH. Glöm inte att räkna med längden på
ledningen till vardera lödytan.
Att beräkna induktansen som tillförs av spännings- och jordplanen för
en kondensator som sitter en bit ifrån störkällan är inte helt enkelt.
I [3] hävdas att
induktansen ligger i storleksordningen 0,005 nH/mm, men några närmare
förutsättningar som t.ex. avstånd mellan planen anges inte, så man kan
inte ta det som en universell sanning även om det kanske ger en aning
om storleksordningen.
Howard Johnson argumenterar
i [4] för att man
kan beräkna den extra induktansen orsakad av planen mellan en
avkopplingskondensator och en mätpunkt (t.ex. en krets som ska
avkopplas) genom att använda Ekv 2 på via-paret som bildas av ena vian
vid kondensatorn och ena vian vid mätpunkten där h är avståndet mellan
planen. Här är antagandet att magnetfälten från viorna helt innesluts
mellan planen mer korrekt än i exemplet ovan där formeln användes, men
det är kanske inte uppenbart att planen själva inte bidrar med någon
signifikant induktans. Tabell 2 visar induktansen enligt denna formel
för några tänkbara dimensioner.
Avstånd (mm) | Via-diameter (mm) | Planavstånd (mm) | Induktans (nH)
|
---|
1 | 0,3 | 0,2 | 0,15
| 10 | 0,3 | 0,2 | 0,34
| 100 | 0,3 | 0,2 | 0,52
| 10 | 0,3 | 0,4 | 0,67
| 10 | 0,5 | 0,2 | 0,30
|
Tabell 2. Induktans orsakad av avståndet mellan
kondensator och mätpunkt enligt Ekv 2.
Att tiodubbla avståndet mellan mätpunkt och avkoppling ökar alltså
induktansen med ca 0,19 nH, medan en dubblering av avståndet mellan
planen också dubblerar induktansen. Detta illustrerar dels att det är
fördelaktigt att ha så litet avstånd mellan planen som möjligt och
dels att avkopplingskondensatorer som sitter en signifikant bit bort
från en viss krets ändå bidrar till att avkoppla kretsen. En mycket
viktig slutsats är att induktansen man inför om man har en extra mm
ledare mellan en avkopplingskondensator och dess vior (ca 0,5 nH/mm
enligt tumregeln) kan vara betydligt större än induktansen som införs
om man ökar avståndet mellan kretsen och kondensatorn med 10 mm. Det
lönar sig alltså betydligt mer att fokusera på att minska induktansen
mellan varje kondensator och planen än att försöka placera
kondensatorerna nära kretsarna som ska avkopplas.
Elektrolytkondensatorer
Som avkoppling i frekvensområdet mellan spänningsregulatorns
bandbredd och det område där de keramiska avkopplingskondensatorerna
är effektiva passar ibland elektrolytkondensatorer bra. Den här
artikeln behandlar främst avkoppling vid högre frekvenser, så endast
ett mycket begränsat urval elektrolytkondensatorer har undersökts.
Tabell 3 visar egenskaperna hos ett par kondensatorer ur Sanyos
CV-KX-serie av lågimpedanselektrolyter. ESL anges sällan eller aldrig
av elektrolyttillverkarna, så de värden som finns i tabellen är
uppmätta med nätverksanalysator. Man kan notera att uppmätt ESR är
ungefär hälften av vad tillverkaren lovar som max, men man kan
förvänta sig att ESR ökar vid lägre temperaturer och när kondensatorn
åldras, så de låga värdena är inte direkt förvånande. Elektrolyter
skiljer sig från keramer genom att ESR dominerar i ett brett område
runt resonansfrekvensen eftersom ESR är så hög relativt reaktansen hos
kapacitansen och ESL vid resonansfrekvensen.
Kapsel | Komponent | C | ESL | ESR | SRF
|
---|
6,3 mm | 100 µF 25V CV-KX | 100 µF | (3 nH uppmätt) | 300 mΩ (170 mΩ uppmätt) | 290 kHz
| 8 mm | 330 µF 25V CV-KX | 330 µF | (5 nH uppmätt) | 150 mΩ (80 mΩ uppmätt) | 124 kHz
|
Tabell 3. Egenskaper hos ett par
elektrolytkondensatorer av lågimpedanstyp.
Figur 5 är en jämförelse mellan uppmätt och simulerad kapacitans hos
några olika kondensatorer. De komponentvärden som använts vid
simuleringen har anpassats för att ge kurvor som överensstämmer så väl
som möjligt med de uppmätta kurvorna. Värt att notera är att alla
kondensatorerna håller lägre kapacitans än nominellt, trots att ingen
DC-förspänning låg över dem vid mätningen. Man kan undra om
kondensatortillverkarna kanske har väldigt god kontroll över
kapacitansen och utnyttjar detta samt de stora angivna toleranserna
(±20 % eller mer) till att alltid ligga i undre delen av
toleransintervallet.
Mätningarna gjordes med nätverksanalysator med en fixtur där
kondensatorn shuntade en transmissionsledning. S21-parametern räknades
sedan om till impedans. De uppmätta induktanserna hos både 0603 och
0402 är högre än vad som anges
i [1], vilket
antagligen beror på skillnader i mätmetod. Förmodligen ger den fixtur
vi använde lite för höga värden på ESL, åtminstone för små
komponenter.
Figur 5. Uppmätt och simulerad impedans hos några
olika kondensatorer. De taggigare kurvorna är uppmätta.
© Per Magnusson
Avkoppling del 2 - Spänningsplan
Som nämnts tidigare så distribuerar man normalt matningsspänningar på
ett modernt kretskort via spännings- och jordplan. I denna del i vår
artikelserie om avkoppling studerar vi impedansen genom mätning med
nätverksanalysator på ett spänningsplan i ett verkligt kretskort
bestyckat med olika avkoppling.
Man inser lätt att det bildas en kapacitans mellan spännings- och
jordplanen i ett mönsterkort och denna kapacitans visar sig vara helt
dominerande när det gäller att hålla nere impedansen hos matningen vid
frekvenser i storleksordningen 1 GHz och däröver. Kapacitansen mellan
planen är proportionell mot planens gemensamma area samt omvänt
proportionell mot avståndet mellan dem. Av denna anledning förbättras
högfrekvensegenskaperna hos avkopplingen om man bygger upp sitt
mönsterkort så att jord- och spänningsplan ligger så nära varandra som
möjligt.
Figur 6 visar uppmätt och simulerad impedans hos ett litet
spänningsplan utan avkoppling på ett 4-lagerskort. Den lågfrekventa
delen av kurvan är identisk med kurvan för en kondensator på 550 pF,
men sedan uppstår ett par resonanser. Dessa kan modelleras i
simuleringen genom att man delar upp planets kapacitans på två delar
med en liten induktans emellan (och ett par små resistanser i serie
med kapacitanserna). Över 800 MHz är impedanskurvan komplicerad och vi
har inte brytt oss om att försöka modellera den.
Figur 6. Uppmätt och simulerad impedans hos ett spänningsplan.
Det är inte så underligt att just detta plan går bra att modellera
upp till ganska höga frekvenser som en kondensator parallellt med en
LC-krets om man tittar på planets lite udda geometri, vilken visas i
Figur 7. Anledningen till planets underliga form är att flera andra
spänningsplan måste samsas på samma kopparlager i detta kort och då
kan man tvingas till den här typen av kompromisser. Pilarna anger var
nätverksanalysatorns portar anslöts via SMA-kontakter inlödda på
obestyckade lödytor för avkopplingskondensatorer på kortets undersida.
Planet består alltså av två separata ytor förbundna med en smal
sektion. Det är den smala delen som modelleras med en induktans och de
två ytorna som modelleras med varsin kondensator. Mätningen som
gjordes var en S21-mätning där resultatet räknades om till shuntande
impedans. 20 dB dämpare användes vid ingångskontakten på kortet för
att förbättra noggrannheten i mätningen, något som är nödvändigt med
de instrument som användes.
Figur 7. Spänningsplanets geometri, ungefärliga mätpunkter (blå pilar), ekvivalent krets och kortets uppbyggnad i genomskärning.
Av kortuppbyggnaden framgår att huvuddelen av kapacitansen inte finns
mellan spänningsplan och det egentliga jordplanet inuti kortet, utan
mellan spänningsplanet och det jordplan som fyller ut utrymmet mellan
ledare och komponenter på bottenlagret. Om man t.ex. av kostnadsskäl
bara har tillgång till fyra lager och mittersta isolationslagret måste
vara relativt tjockt så kan det vara en utmärkt idé att fylla ut med
jordplan på ytterlagret utanför spänningsplanet för att öka
plankapacitansen till mer verkningsfulla nivåer. För att få någon
nytta vid höga frekvenser av denna kapacitans måste det yttre
jordplanet vara väl förbundet med hjälp av många vior till kortets
andra jordplan och/eller direkt till de komponentben som ska
avkopplas.
Vi börjar nu ansluta avkopplingskondensatorer för att se hur det
påverkar impedansen. Vid alla mätningar placerar vi kondensatorer
enbart på den närmsta delen av planet (ytan märkt C1 i Figur 7),
förutom de stora kondensatorerna (47 µF och uppåt) som placeras
till vänster om den smala sektionen.
Figur 8 visar vad som händer om man kopplar in en 100-nF
0603-kondensator till planet. Det mesta blir bättre, dvs. impedansen
sjunker, men vid ca 200 MHz, strax under planets serieresonans,
uppstår en parallellresonans mellan avkopplingskondensatorn och
planets kapacitans. Denna resonans orsakar en impedanstopp på 6
Ω, vilket är betydligt högre än impedansen för planet själv som
var ca 1,2 Ω vid denna frekvens. Över 800 MHz är impedansen i
princip identisk med planets impedans utan kondensator.
Oftast har man ju inte bara en enda avkopplingskondensator. Låt oss
se vad som händer om man kopplar in sju stycken av samma sort.
Effekten illustreras i Figur 9.
Figur 8. Plan med en avkopplingskondensator. En ny resonanstopp har dykt upp.
Figur 9. Jämförelse mellan avkoppling med noll, en
respektive 7 st 100-nF-kondensatorer.
Förutom att impedansen som väntat sjunker vid låga frekvenser (där
kondensatorernas kapacitans dominerar) och medelhöga frekvenser (där
kondensatorernas induktans dominerar) så ser vi ytterligare ett
intressant och positivt fenomen, nämligen att resonanstoppen som dök
upp vid 200 MHz när man hade bara en avkopplingskondensator blir
mindre utpräglad när man lägger till fler kondensatorer. Dessutom
flyttas en annan resonanstopp upp till lite högre frekvenser. Nu har
vi lyckats sänka impedansen för i princip alla frekvenser upp till 600
MHz, medan impedansen är i stort sett oförändrad över 1 GHz. Om kortet
har kretsar som drar mycket ström med en frekvens på ca 1 GHz så är
dock inte just denna design så lyckad. Ännu fler kondensatorer med låg
ESL skulle förmodligen dämpa toppen som nu ligger vid 1 GHz, eftersom
den uppenbarligen redan sjunkit en del (och flyttat sig upp i
frekvens) i samband med att kondensatorer lagts till.
Som nämndes tidigare i artikelserien så finns det en envis myt som
säger att kondensatorer med lägre kapacitansvärden är bättre vid högre
frekvenser. Låt oss testa om det stämmer på vårt spänningsplan. I
Figur 10 jämförs uppmätt impedans när planet avkopplas med 7 st
100-nF-kondensatorer respektive när det avkopplas med 7 st
1-µF-kondensatorer. Som väntat är impedansen betydligt lägre vid
låga frekvenser (om än inte riktigt 10 gånger lägre eftersom den
verkliga kapacitansen inte riktigt är 1 µF hos de större
kondensatorerna). Vid 40-1000 MHz är 1 µF aningen bättre än 100
nF och endast i ett litet område runt 100-nF-kondensatorernas
resonansfrekvens är dessa bättre. Detta tyder på att det inte ligger
så mycket i myten att lägre kapacitans på något magiskt sätt skulle
vara bättre vid höga frekvenser när parasiterna som beror på kapseln
och layouten hålls lika.
Figur 10. Jämförelse mellan avkoppling med 100 nF och
1 µF.
Men kanske är ändå riktigt låga kondensatorvärden som 1 nF bättre än
100 nF vid höga frekvenser? Ett nytt experiment borde kunna ge svar.
Figur 11 visar en jämförelse mellan impedansen när 7 st 100 nF har
monterats samt när fyra av dessa har ersatts med 1 nF i samma kapsel.
Vid låga frekvenser är naturligtvis den högre kapacitansen bättre. Vid
100 MHz uppstår en oönskad parallellresonanstopp mellan 1 nF och 100
nF och i ett område runt 200 MHz där 1-nF-kondensatorerna är
serieresonanta (jämför Figur 3) råkar kombinationen med olika värden
få något lägre impedans än när bara 100 nF används. Över 300 MHz
spelar bara serieinduktansen hos kondensatorerna roll och där blir
alternativen så gott som identiska.
Uppenbarligen fanns det inte heller i detta fall någon fördel med att
byta vissa kondensatorer till lägre värden. Förutom nackdelen med
högre impedans vid låga frekvenser uppstår det alltid en oönskad
parallellresonans när man blandar två kondensatortyper med
serieresonansfrekvenser som ligger långt från varandra. Om möjligt är
det alltså bättre att hålla sig till ett värde. Mer om detta i
teoriavsnittet.
Figur 11. Jämförelse mellan avkoppling med enbart 100
nF och där några kondensatorer ersatts av 1 nF.
I stort sett alltid har man även en eller flera större kondensatorer
på kortet för att ta hand om låga frekvenser och stabilisera
spänningsregulatorn. Figur 12 visar vad som händer om man kopplar in
olika typer av större kondensatorer tillsammans med 7 st
100-nF-kondensatorer. Över 7 MHz är inverkan minimal, men vid lägre
frekvenser sjunker impedansen som väntat, förutom att en keram på 47
µF med sin låga ESR ger en liten resonanstopp (parallellresonans
mellan 47 µF och 7 st 100 nF). Elektrolyten med sin relativt
höga ESR ger ingen resonanstopp, men dess ESR begränsar också hur
långt ned impedansen kan sjunka som lägst i det område där
elektrolytens impedans (eller snarare admittans) dominerar.
Figur 12. Jämförelse mellan olika stora
kondensatorers inverkan på avkopplingen.
© Per Magnusson
Avkoppling del 3 - Beräkning av resonanser
I föregående avsnitt presenterades ett antal mätningar på olika
avkopplingskonfigurationer. I detta avsnitt ska vi försöka skaffa oss
lite mer teoretisk insikt genom att räkna på kretsarna.
Men först ett par ord om serie- respektive parallellresonans som
redan nämnts några gånger utan närmare förklaring. Med serieresonans
menas att de seriekopplade reaktiva elementen i en serie-LCR-krets som
i Figur 1 vid någon frekvens får lika belopp men motsatt tecken på
sina reaktanser och därmed tar ut varandra. Detta orsakar ett
impedansminimum lika med det resistiva elementets resistans. Med
parallellresonans menas att de reaktiva elementen i parallellkopplade
grenar (som i Figur 13) hamnar i resonans med varandra, vilket orsakar
ett minimum i admittansen, dvs. ett maximum i impedansen. Man kan visa
att serie- och parallellresonanstoppar alltid kommer omväxlande i
kretsar som består av parallellkopplade LCR-länkar. Det ligger alltså
alltid en parallellresonanstopp mellan två serieresonanstoppar och
vice versa.
Ett fenomen som vi kunde observera i ett par mätningar var att det
uppstod parallellresonanstoppar när kondensatorer med olika
serieresonansfrekvenser parallellkopplades. Låt oss se om vi kan
förutsäga detta med hjälp av lite kretsteori samt försöka dra några
slutsatser av resultaten. Beräkningarna är delvis hämtade
från [6]. Vi
studerar parallellkopplingen av två kondensatorer, med ekvivalent
krets enligt Figur 13. För att få rimligt enkla beräkningar som ger
någon insikt så har vi satt ESR och ESL lika medan kapacitanserna
skiljer sig åt. Som vi tidigare sett kan i verkligheten ESR vara
ganska olika om kapacitanserna är olika, men låt oss för tillfället
bortse från det för att komma till okomplicerade resultat som ger
någon designinsikt.
Figur 13. Ekvivalent krets för två parallellkopplade
kondensatorer.
Parallellresonansfrekvensen blir:
Ekv 3 |
|
Där C1//C2=Ceq
betecknar C1C2/(C1+C2).
Om ESR är lika för kondensatorerna gäller vid parallellresonansen
att reaktanserna (X) hos de två kondensatorerna är identiska men har
olika tecken:
Ekv 4 |
|
En mindre räkneinsats ger att totala impedansen vid parallellresonans är:
Ekv 5 |
|
Om ESR är liten kan impedansen vid parallellresonans alltså bli
obehagligt stor. Alltför låg ESR är alltså dåligt om man vill undvika
höga parallellresonanstoppar. Alltför stor ESR är naturligtvis också
olämpligt eftersom det gör att första termen - som försummats vid
approximationen i slutet av Ekv 5 - blir stor. Man kan lätt visa att
optimum är att ESR är lika med Xp-res, dvs. ESR ska vara lika stor som
reaktansen hos den enskilda kondensatorn vid resonansfrekvensen. För
keramiska kondensatorer är ESR alltid lägre än optimum och för vanliga
elektrolyter är den alltid högre.
Ytterligare lite räknande ger:
Ekv 6 |
|
Ekv 7 |
|
Som sagt finns det ett optimum för ESR,
nämligen Xp-res, och detta
optimum blir enligt Ekv 6 lägre (dvs. hamnar närmare det mycket låga
ESR som verkliga keramiska kondensatorer har) om:
- ESL är liten,
- C1≈C2 samt
- C1 och C2 är stora.
För att minimera impedansen vid resonansfrekvensen (Zp-res) bör man
alltså enligt Ekv 7 hålla ESL låg, C1≈C2 samt C1 och C2 stora.
För vanliga keramiska kondensatorer hamnar man dock alltid en bit
ifrån optimum och det skulle löna sig att öka ESR (!) om man kunde.
Att lägga till ett seriemotstånd kan minska parallellresonanstopparna,
men är på det hela taget troligen kontraproduktivt eftersom det
kraftigt ökar induktansen och därmed impedansen för alla andra höga
frekvenser. Att en relativt hög ESR ger lägre impedans vid
parallellresonans beror på att högre ESR sänker Q-värdet på
resonanskretsen. Att C1≈C2 ger låg resonanstopp är återigen en
anledning till att det är olämpligt att blanda in kondensatorer med
onödigt låga värden när man avkopplar.
Två helt olika kondensatorer
Låt oss titta på några specialfall. Vi börjar med två kondensatorer
med helt olika värden, dvs. . Om detta sätts in i Ekv 7 får man:
Ekv 8 |
|
Ekv 8 säger att om man har kondensatorer av liknande typ men med
väldigt olika värden parallellkopplade med varandra så ska man
minimera ESL, hålla ESR hög och den minsta kondensatorn så stor som
möjligt för att inte få en onödigt hög resonanstopp. ESL kan man
alltid försöka minimera med en god layout, medan övriga faktorer kan
vara svårare att påverka beroende på andra bivillkor. Bäst är förstås
att undvika parallellkoppling av kondensatorer med helt olika värden
om man inte är tvungen.
Om man parallellkopplar 100 nF 0603 (1 nH, 0,02 Ω) med 1 nF
0603 (1 nH, 0,28 Ω) så är visserligen inte resistanserna lika,
men vi kan prova att använda Ekv 8 ändå genom att sätta in medelvärdet
av ESR. Formeln förutsäger en resonanstopp på knappt 2 Ω och
det stämmer väl med resultatet av en mer detaljerad simulering som
visas i Figur 14.
Figur 14. Parallellkoppling av 1 nF och 100 nF ger en oönskad
resonanstopp vid 110 MHz. Figuren visar impedansen för kondensatorerna
var för sig samt den totala impedansen när de parallellkopplas.
Två snarlika kondensatorer
Om vi istället parallellkopplar två kondensatorer med närliggande
värden blir situationen en annan. Låt den ena kondensatorn ha
kapacitansen C1=(1+ε)C
och C2=(1-ε)C. Detta
insatt i Ekv 7 ger:
Ekv 9 |
|
Ekv 9 säger att om man har kondensatorer med närliggande värden
parallellkopplade så är parallellresonanstoppens höjd över ESR/2
proportionell mot kvadraten på avvikelsen från medelvärdet, dvs. den
blir väldigt liten om avvikelsen är liten. Det är som vanligt bra att
minimera ESL (och öka ESR så länge inte termen ESR/2 börjar dominera)
medan stor kapacitans också bidrar till låg resonanstopp.
ε2-termen gör att toppen förmodligen är väldigt låg
redan från början och därför kan det vara relevant att inte försumma
termen ESR/2 i Ekv 9.
Ett realistiskt exempel är två st 100 nF 0603 där den ena har
maxtolerans och den andra mintolerans, dvs. den ena har värdet 120 nF
och den andra 80 nF. Vidare räknar vi med 1 nH ESL och 0,02 Ω
ESR. Här blir resonanstoppen endast 0,02 Ω, dvs. nästan 100
gånger bättre än när 100 nF parallellkopplades med 1 nF. Kurvorna från
en simulering visas i Figur 15. Det är alltså inte farligt att
parallellkoppla kondensatorer med aningen olika värden, i alla fall
inte om parasiterna är snarlika vilket vi förutsatte i härledningen.
Figur 15. Endast en mikroskopisk resonanstopp uppstår
om kondensatorer med närliggande värden parallellkopplas.
Många kondensatorer med samma värde
Oftast har man många avkopplingskondensatorer och man kan fråga sig
hur det påverkar den totala impedansen efter att ha sett att två
kondensatorer i vissa fall kan ge upphov till oönskade resonanstoppar.
Matematiken blir krånglig om man ska räkna på det för hand, men
simulering är lätt och det är möjligt att göra mätningar.
Figur 16 visar simulerad impedans hos ett plan där enbart
100-nF-kondensatorer kopplats in. Planet har modellerats med verkliga
mätdata vid beräkningarna. Tre viktiga slutsatser kan dras av
simuleringen:
- Parallellresonanserna blir mindre utpräglade ju fler kondensatorer
man använder.
- Impedansen blir allt bättre (lägre) ju fler kondensatorer som
används.
- Över ca 1 GHz har avkopplingen mycket liten effekt och det är bara
planets egen impedans som bidrar som spelar någon roll såvida man inte
har extremt många kondensatorer.
Något som inte blir bättre av att man använder fler kondensatorer är kostnaden och möjligen tillförlitligheten, men elektriskt blir allt bättre.
Figur 16. Simulerad impedans hos ett plan med olika
många avkopplingskondensatorer. Även ett par uppmätta kurvor finns
med.
Många kondensatorer med olika värden
Vi kan också simulera skillnaden mellan att bara använda 100 nF samt
att ersätta hälften av kondensatorerna med 1 nF. Figur 17 visar
resultatet av ett par sådana simuleringar. I ett litet område nära 200
MHz finns en liten positiv effekt av att byta hälften mot 1 nF. Här
råkar nämligen 1-nF-kondensatorernas serieresonans hamna nära
parallellresonansen och därmed dela upp den på två resonanser med
något lägre toppar. Vid i stort sett alla andra frekvenser så blir
situationen bara sämre av att byta till lägre värden.
Om man t.ex. av utrymmesskäl är begränsad till ett fåtal
kondensatorer skulle man möjligen kunna använda lägre värden för att
skjuta prick på frekvenser där man är säker på att man behöver en
extra låg impedans. Men för att detta ska vara en god idé måste man
verkligen vara säker på sin sak och man måste också mäta upp
impedansen hos planet med olika kondensatorvärden monterade för att
kunna trimma in det värde som ger serieresonans på rätt frekvens. Utan
verifierande mätning är risken stor att man råkar lägga den
oundvikliga parallellresonansen som uppstår när olika värden blandas i
närheten av den frekvens där man ville ha serieresonansen och då har
man förvärrat situationen. I de allra flesta projekt är det i
praktiken knappast realistiskt att specialdesigna avkopplingen för
vissa frekvenser, utan det är bättre att rikta in sig på att
åstadkomma så låg impedans som möjligt över så stora frekvensområden
som möjligt samtidigt som man undviker parallellresonanser.
Figur 17. Jämförelse vid avkoppling av ett plan
mellan enbart 100 nF och 100 nF blandat med 1 nF.
Under dessa förutsättningar är det alltså lämpligt att använda många
avkopplingskondensatorer med samma värde i så liten kapsel som möjligt
och välja ett så stort värde som man har råd med och kan få tag på i
den valda kapseln. Detta är precis vad Howard Johnson förespråkar i
[7], medan en del
andra författare envist och felaktigt hävdar att det är bra att
använda lägre kapacitansvärden än nödvändigt.
Exempel på denna missuppfattning finns i [6]
och [8]. Författarna
till dessa artiklar har inte insett att storleken på ESL hos olika
kapslar är nästan lika stor för t.ex. 0402 som för 0603. Det syns
tydligt på att författarna i sina teoretiska impedansplottar visar
V-formade kurvor som ligger på samma höjd och bara är förskjutna i
frekvensled för kondensatorer med väldigt olika värden. Detta
implicerar att de antar att ESL är omvänt proportionell mot
kapacitansen, men som vi har visat i bland annat Figur 3 och Tabell 1
är den snarast konstant och oberoende av kapacitansen.
Denna insikt tycks tyvärr inte heller ha nått ut till alla
halvledartillverkare. Man kan i datablad ofta läsa rekommendationer i
stil med: "Avkoppla Vref med 1 µF parallellt med 100 pF för att
få god avkoppling vid både höga och låga frekvenser." Om det nu
verkligen behövs två komponenter för att hålla nere impedansen vid
höga frekvenser (dvs. induktansen) hade det varit bättre att skriva:
"Avkoppla Vref med två stycken 1-µF-kondensatorer i storlek 0402
och minimera ledningslängden mellan kondensatorerna och kretsen." Med
denna metod undviker man alltså den höga impedansen vid
parallellresonansen mellan kondensatorerna samtidigt som man får lika
bra eller bättre egenskaper vid höga frekvenser som man fått om två
olika värden använts.
© Per Magnusson
Slutsatser
De viktigaste resultaten i artikelserien kan sammanfattas med:
- Avkopplingskondensatorer är effektiva långt över sin
serieresonansfrekvens.
- Minimera induktansen mellan varje avkopplingskondensator och planen.
- Det är inte fullt lika viktigt att placera kondensatorer precis vid
kretsen de ska avkoppla.
- Ju fler avkopplingskondensatorer desto bättre (lägre total induktans).
- Det finns ytterst sällan något att vinna på att blanda in
kondensatorer med lägre värden än nödvändigt, däremot finns det en hel
del att förlora på det i form av oönskade resonanstoppar och högre
impedans vid låga frekvenser.
- Högre kapacitans är bättre än lägre (om allt annat, t.ex. kapsel, är lika).
- Mindre kapsel är något bättre än större (om allt annat, t.ex.
kapacitans, är lika).
- Alltför låg ESR i kombination med hög ESL ger upphov till utpräglade
resonanser både uppåt (parallell-) och nedåt (serie-), men ESR kan man
inte påverka så mycket, så det är bättre att fokusera på att minska
ESL.
- Var noga med layouten:
- Använd korta ledare mellan kondensator och via.
- Lägg en avkopplingskondensators vior nära varandra.
- Använd inte mindre viadiameter än nödvändigt.
- Anslut kondensatorerna till planen med fler än en via per lödyta
om det finns plats.
- Låt inte flera kondensatorer dela på samma vior såvida de inte
sitter på olika sidor av kortet.
- Gör planen stora och sammanhängande.
- Specificera ett tunt lager glasfiber mellan spännings- och
jordplan om möjligt.
- Om man måste ha stort avstånd mellan planen i t.ex. ett
fyralagerskort kan man förbättra situationen genom att fylla oanvänt
utrymme på ytterlagret utanför spänningsplanet med jordplan (med många
jordvior) och hålla isolationslagret tunt mellan dessa plan.
- Över ca 1 GHz är effekten av avkopplingskondensatorerna oftast
försumbar och det enda man har att förlita sig på är kapacitansen
mellan planen.
- Det går att simulera plan med avkoppling med hygglig noggrannhet upp
till några hundra MHz genom att man estimerar parasiterna hos
kondensatorerna och kapacitansen mellan planen.
- Om man har tillgång till en lämplig nätverksanalysator kan man
relativt enkelt mäta upp impedansen hos spänningsmatningen på sitt
kort och undersöka om något behöver förbättras. Det underlättar om man
har förberett layouten för anslutning av mätkablarna.
Referenser
[1] "Murata
Chip S-Parameter & Impedance Library Version 3.13.1",
http://www.murata.com/designlib/mcsil/index.html
[2] H. Johnson, M. Graham, "High Speed Signal Propagation - Advanced Black Magic", ISBN 013084408X
[3] H. Johnson, "Parasitic
Inductance of Bypass Capacitor II"
http://www.sigcon.com/Pubs/news/6_09.htm
[4] Todd D. Hubing et al., "Power Bus Decoupling on Multilayer Printed Circuit Boards", in IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, vol. 37. No. 2, May 1995, pp. 155-166.
[5] H. Johnson, "Parasitic
Inductance of Bypass Capacitors",
http://www.sigcon.com/Pubs/edn/ParasiticInductance.htm
[6] D. G. Brooks, "ESR and
Bypass Capacitor Self Resonant Behavior - How to Select Bypass
Caps", http://www.ultracad.com/esr.htm
[7] H. Johnson, "Bypass Capacitor Layout", http://www.sigcon.com/Pubs/news/2_3.htm
[8] M. Wong, T.
Schmitz, "Choosing and Using Bypass Capacitors (Part 2 of
3)",
http://www.planetanalog.com/showArticle.jhtml?articleID=199905942
© Per Magnusson
Appendix: Mätmetod
Att mäta impedansen hos spänningsmatningen på ett kretskort vid höga
frekvenser är inte alldeles enkelt. Den metod vi använde baserar sig
på S21-mätningar med vektornätverksanalysatorer och är i stort sett
samma som användes
i [4]. En
vektornätverksanalysator är ett instrument som innehåller en
sinuskälla som kan svepa sin frekvens samt kretsar för att mäta
amplitud och fas hos spänningar. Instrumentet har (minst) två portar
(anslutningar) och signalen kan t.ex. matas ut på port 1 och mätas på
port 2, vilket är grunden i en S21-mätning. Instrumentet mäter fas och
amplitud på signalen som kommer fram relativt signalen som sändes ut
och man får ett mått på hur kretsen mellan portarna har påverkat
utsänd signal vid denna frekvens. Mätningen upprepas vid många
frekvenser och man får fram en kurva över S21 som funktion av
frekvens. Instrumentet kalibreras innan mätning, vilket innebär att
man mäter upp kablarna (och eventuella andra apparater som t.ex.
dämpare vars inverkan man inte vill få med i resultatet) så att
nätverksanalysatorn kan räkna bort deras inverkan på resultatet och
man enbart ser hur det inkopplade mätobjektet påverkar fas och
amplitud.
Signalen matades in till kortet som skulle testas via en SMA-kontakt
som lötts fast på en lödyta avsedd för en avkopplingskondensator och
togs ut på samma sätt från en annan lödyta. Jordanslutningarna på
kontakterna löddes fast på det jordplan som fanns på stora delar av
kortets ytterlager. Ett foto av kontakterna visas i Figur 18.
Anslutningen till kortet hade varit enklare att genomföra om kortet
hade förberetts för denna mätning redan när layouten designades, t.ex.
genom att lödytor för ytmonterade SMA-kontakter hade lagts till på
lämpliga platser.
Figur 18. Foto av SMA-kontakterna där
nätverksanalysatorn anslöts. Även en del avkopplingskondensatorer är
monterade på denna bild.
De instrument som användes var en HP4195A för mätningar upp till 500
MHz och en Advantest R3765C för frekvenser mellan 40 MHz och 3,8 GHz.
Överensstämmelsen mellan mätvärdena från de två instrumenten i det
överlappande frekvensområdet (40-500 MHz) var mycket goda och det gick
knappt att se någon skillnad mellan dem när de plottades i samma
loglog-diagram.
Dessa instrument kan inte kompensera ordentligt för signaler som
reflekteras tillbaka till port 1 vid S21-mätningar och för att undvika
reflektioner som skulle störa mätresultaten kraftigt så användes en
20-dB-dämpare vid SMA-kontakten på kortet där port 1 anslöt.
I princip är S21-parametern som mäts bara kvoten mellan mottagen
signal på port 2 i form av ett komplext tal som representerar amplitud
och fas hos signalen och motsvarande komplexa tal för utsänd signal på
port 1. Allt såklart kompenserat för att räkna bort effekten av
kablarna och dämparen som mättes upp vid en kalibrerande mätning innan
de riktiga mätningarna började.
Eftersom impedansen hos avkopplingen och planen förväntas vara låg
relativt systemimpedansen på 50 Ω så är en S21-mätning lämplig
att göra för att få god noggrannhet. Det är nämligen ett enkelt
mättekniskt problem att ganska exakt mäta amplitud och fas på en svag
signal som kommer in på port 2 och sedan med god noggrannhet räkna ut
impedansen som för små S21 blir nästan proportionell mot S21 enligt
Ekv 10. Z0 är impedansen hos nätverksanalysatorn och kablarna man
använder, i detta fall 50 Ω.
Ekv 10 |
|
En alternativ mätmetod vore att mäta S11, dvs. man sänder ut en
signal på port 1 och mäter reflekterad signal som kommer tillbaka på
samma port. En fördel är att bara en anslutning behövs till
mätobjektet. Problemet här är att (beloppet på) den reflekterade
signalen blir nästan lika stor som den utsända signalen fast med
ungefär 180 grader omkastad fas, vilket leder till att S11 blir nära
-1. Impedansen man vill räkna ut ges av Ekv 11. Värdet på Z blir
mycket känsligt för det exakta värdet av S11 när S11≈-1 och
noggrannheten i mätningen blir alltså dålig i detta fall, dvs. det
blir svårt att mäta små värden på Z med god precision.
Ekv 11 |
|
För att ytterligare öka precisionen i mätresultaten kan man uppskatta
induktansen i viorna som ansluter portarna till spänningsplanet och
räkna bort inverkan från dessa induktanser. Korrigeringarna blir i
praktiken mycket små, men har gjorts i de plottar av |Z| som visas i
denna artikel.
© Per Magnusson
<<<
1
2
3
4
5
|
[All Pages]
>>>
|